氣體在半導體外延中起到的作用

外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，為了降低生長溫度，也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的，其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

貝斯特氣體主要氣體有汽車尾氣檢測標準氣體、環境監測標準氣、石油化工標準氣、儀器儀表標準氣、研制生產的標準氣體已取得國家制造計量器具許可證CMC證書(國制表標物10001697號)。廣泛應用于科研、醫療、環保、石油化工等領域