氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,為了降低生長溫度,也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的,其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?
氧氣是空氣的組分之一,無色、無嗅、無味。氧氣密度比空氣大,在標準狀況(0℃和大氣壓強101325帕)下密度為1.429克/升。大規模生 產氧氣的方法是分餾液態空氣 ,首先將空氣壓縮,待其膨氧脹后又冷凍為液態空氣,由于稀有氣體和氮氣的沸點都比氧氣低,經過分餾,剩下的便是液氧,可貯存在高壓鋼瓶中。所有的氧化反應 和燃燒過程都需要氧,例如煉鋼時除硫、磷等雜質,氧和乙炔混合氣燃燒時溫度高達3500℃,用于鋼鐵的焊接和切割。玻璃制造、水泥生產、礦物焙燒、烴類加 工都需要氧。液氧還用作火箭燃料,它比其他燃料更便宜。在低氧或缺氧的環境中工作的人,如潛水員、宇航員,氧更是維持生命所不可缺少的。但氧的活性狀態如 、OH以及H2O2等對生物的組織有嚴重的損壞作用,紫外線對皮膚和眼的損害多與此種作用有關。