氣體在半導體外延中起到的作用

外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，為了降低生長溫度，也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的，其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

氧氣是空氣的組分之一，無色、無嗅、無味。氧氣密度比空氣大，在標準狀況（0℃和大氣壓強101325帕）下密度為1.429克/升。大規模生 產氧氣的方法是分餾液態空氣 ，首先將空氣壓縮，待其膨氧脹后又冷凍為液態空氣，由于稀有氣體和氮氣的沸點都比氧氣低，經過分餾，剩下的便是液氧，可貯存在高壓鋼瓶中。所有的氧化反應 和燃燒過程都需要氧，例如煉鋼時除硫、磷等雜質，氧和乙炔混合氣燃燒時溫度高達3500℃，用于鋼鐵的焊接和切割。玻璃制造、水泥生產、礦物焙燒、烴類加 工都需要氧。液氧還用作火箭燃料，它比其他燃料更便宜。在低氧或缺氧的環境中工作的人，如潛水員、宇航員，氧更是維持生命所不可缺少的。但氧的活性狀態如 、OH以及H2O2等對生物的組織有嚴重的損壞作用，紫外線對皮膚和眼的損害多與此種作用有關。