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    半導體工業常用的混合氣體
    來源: | 作者:pmo864658 | 發布時間: 2017-03-12 | 976 次瀏覽 | 分享到:


     1、外延(生長)混合氣:在半導體工業中,在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法,生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅(DCS)、四氯化硅(SiCl4)和硅烷等。主要用于外延硅淀積、氧化硅膜淀積、氮化硅膜淀積,太陽能電池和其它光感受器的非晶硅膜淀積等。外延是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。

    2、化學氣相淀積(CVD)用混合氣:CVD是利用揮發性化合物,通過氣相化學反應淀積某種單質和化合物的一種方法,即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類,使用的化學氣相淀積(CVD)氣體也不同。

    3、摻雜混合氣:在半導體器件和集成電路制造中,進口電子氣體加微信號bluceren咨詢了解。將某些雜質摻入半導體材料內,使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率,以制造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣)在源柜中混合,混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周,在晶片表面沉積上摻雜劑,進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。

    4、蝕刻混合氣:蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜等)蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來,以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方法有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體(鹵化物類),例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

     



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