• <dd id="0egac"><optgroup id="0egac"></optgroup></dd>
  • <nav id="0egac"></nav>
  •  
    best@bestgas.com?
    400-100-5278???
    ?浙江省杭州市富陽區新登新區貝山路58號???
    集團首頁
    集團簡介
    產品中心
    企業設施
    企業資訊
    聯系我們
    硼烷在半導體摻雜中起到的作用
    來源: | 作者:pmo864658 | 發布時間: 2017-03-12 | 473 次瀏覽 | 分享到:


    外延層的導電類型和電阻率取決于摻雜。在外延過程中,摻雜劑將同時或者間歇性地進入外延層中。在硅外延時,硼烷(B2H6)通常用做p型摻雜劑,而磷烷(PH3)或者砷烷(AsH3)用做n型摻雜劑。它們的可燃性和毒性。這些氣體都是劇毒并且在室溫以上不穩定,因此通常需要用大量的氫氣稀釋。因此,這些氫化物摻雜氣體從氣相進入外延層中不會遵循某一簡單的規律。為了使外延層中的摻雜濃度與氣相狀態時的濃度相對應,只能針對具體的生長條件和外延爐來確定工藝參數。影響摻雜劑摻雜的主要因素包括生長溫度、生長速度、氣相中的摻雜劑濃度以及外延爐的幾何形狀。

    另外,由于摻雜氣體和硅源氣體之間的交互或者競爭作用,使得摻雜過程變得相當復雜。研究發現B2H6PH3對硅沉積速度有相反的作用,即前者提高沉積速度,而后者抑制沉積速度。研究還發現,在高溫下PH3能化學吸附在硅片上,并分解參與形成Si—H鍵;氫在高于400時脫附,從而形成含磷層,它們在550時吸附最顯著。一旦被吸附,PH3將穩定在SiH4氣流下,從而有效地鈍化了硅表面,抑制了摻磷外延層的生長速度。另一方面,B2H6具有非常小的粘附系數,很容易在硅表面直接分解而形成硼。吸附的B2H6有利于硅源氣體在硅片表面的異質反應,從而提高生長速度。另外,摻雜劑進入硅外延層的數量還受生長速度的影響。圖2.2-32顯示了在砷摻雜中,雜質濃度和硅生長速度的典型關系曲線。在高生長速度時,砷的摻雜由表面動力學(如表面吸附和擴散)決定;而在低生長速度時,摻雜過程則由質量輸運控制。

     


    老司机在线精品视频网站