氣體在半導體外延中起到的作用

外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，為了降低生長溫度，也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的，其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。?

氪氣是稀有氣體，無色、無味、無毒、惰性，氪氣集中存在于大氣中。在大氣中占有1.1ppm。沸點-153.35℃，大氣中氪的含量極低（痕量，按體積計為1.14×10-6）。不能燃燒，也不助燃。能吸收X射線。氣體相對密度3.736(-152.9℃），液態相對密度2.155。